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FIB聚焦離子束芯片的電路修改斷面切割透射電鏡樣品制備

儀準(zhǔn)科技（北京）有限公司

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價(jià)格：電議

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更新時(shí)間：2023-11-10

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

FIB聚焦離子束芯片的電路修改斷面切割透射電鏡樣品制備芯片電路設(shè)計(jì)1.定點(diǎn)切割2.穿透式電子顯微鏡試片3.IC線路修補(bǔ)和布局驗(yàn)證4.制程上異常觀察分析5.晶相特性觀察分析6.故障位置定位用被動(dòng)電壓反差分析

公司簡(jiǎn)介

IC失效分析 Decap，X-RAY，IV，EMMI，F(xiàn)IB，SEM，EDX，Probe，OM，RIE

專業(yè)從事電子產(chǎn)品分析測(cè)試設(shè)備研發(fā)、生產(chǎn)、銷售，以及國(guó)外**設(shè)備代理,探針臺(tái)probe 開(kāi)封機(jī)decap 微光顯微鏡emmi 紅外顯微鏡 iv自動(dòng)曲線量測(cè)儀失效分析可靠性測(cè)試FIB,切割研磨機(jī)rie，電子顯微鏡sem等

展開(kāi)

產(chǎn)品說(shuō)明

FIB聚焦離子束芯片的電路修改斷面切割透射電鏡樣品制備芯片電路設(shè)計(jì)

主要用途

芯片的電路修補(bǔ)、斷面切割、透射電鏡樣品制備。

性能參數(shù)

a)著陸電壓范圍 - 電子束：350V~30kV

- 離子束：500V~30kV

b)zui小分辨率 - 電子束：0.8nm/30kV

- 離子束：2.5nm/30kV

c)全新的差分抽取及TOF校正功能，可實(shí)現(xiàn)更高分辨率的離子束成像、磨削和沉積

應(yīng)用范圍

1.定點(diǎn)切割

2.穿透式電子顯微鏡試片

3.IC線路修補(bǔ)和布局驗(yàn)證

4.制程上異常觀察分析

5.晶相特性觀察分析

6.故障位置定位用被動(dòng)電壓反差分析

本頁(yè)產(chǎn)品地址：http://www.mingjiewl.com/sell/show-7904142.html

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