CJC系列磁控濺射鍍膜

成都漢普升科技有限公司，成立于2015年11月16日，致力于電真空、核級裝備、人工晶體材料及薄膜制備設(shè)備的技術(shù)提升，在服務(wù)領(lǐng)域深耕細作，具有較深的技術(shù)沉積。
公司成立以來，秉承“超越極限，邁向卓越”的核心價值觀，在自己所擅長領(lǐng)域為客戶提供優(yōu)良的產(chǎn)品和技術(shù)解決方案，公司注重產(chǎn)品和運營模式創(chuàng)新，我們堅信：唯有創(chuàng)新方能給用戶增值，公司已與多家科研院所、高等院校及企事業(yè)單位進行橫向合作，形成了科研級、工業(yè)級、軍品級產(chǎn)品體系，已為客戶設(shè)計制造了多套專用設(shè)備和儀器，獲得了用戶廣泛贊譽。

●該設(shè)備用于納米級單層或多層膜、類金剛石薄膜、金屬膜、導(dǎo)電膜、半導(dǎo)體膜和非導(dǎo)電膜等功能薄膜的制備，可實現(xiàn)共濺射，直流、射頻兼容，適于科研院所和企業(yè)進行功能薄膜研發(fā)、教學和新產(chǎn)品開發(fā)，同時可在微米級粉末或顆粒上沉積薄膜進而達到表面改性的功能。建議選用公Research系列磁控濺射平臺。

●主體結(jié)構(gòu)：全封閉框架結(jié)構(gòu)，機柜和主機為分體式機構(gòu)。

●極限真空度：≤６.６３×10－5Pa，壓升率優(yōu)于國家標準。

●真空配置：高速直聯(lián)旋片泵一臺，配置尾氣處理裝置，超高分子泵一臺。

●真空測量：兩路電阻規(guī)，一路電離規(guī)；電阻規(guī)和電離規(guī)均采用防爆型金屬封結(jié)真空規(guī)。

●工件架系統(tǒng)：行星工件盤與公轉(zhuǎn)工件盤可選，垂直濺射與共濺射兼容，可配置１個加熱臺，采用PID控制可烘烤加熱到700℃。

●磁控濺射系統(tǒng)：配置３個Φ50mm可折疊磁控靶（可擴展至4靶機構(gòu)），向上濺射成膜；靶基距可調(diào)；靶內(nèi)均通入冷卻水冷卻。

●電源 ：2套直流電源；1套全固態(tài)射頻電源；一套200W直流偏壓電源。

●充氣系統(tǒng)：配置三路供氣，二路分別配置質(zhì)量流量控制器，線性±0.5 % F.S，重復(fù)精度±0.2% F.S，0-5V輸出，在觸摸屏上設(shè)置流量。

●電氣控制系統(tǒng)：采用功能化模塊設(shè)計，匹配西門子人機界面+西門子控制單元，濺射時間可以設(shè)定并倒計時，能夠根據(jù)工藝需求自動濺射。

●特別說明：根據(jù)用戶不同的工況和工藝要求，公司愿與客戶聯(lián)合研發(fā)，共享知識產(chǎn)權(quán)，公司致力于工藝與設(shè)備的完美匹配，該設(shè)備為公司與電子科技大學聯(lián)合研發(fā)。

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