電子背散射硅探測器設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)為環(huán)形象限、靶孔和帶薄入口窗的雙元素探測器，針對性的用于電子顯微鏡中1keV的低能電子探測。

北京鑫東鑫科技有限公司于2015年注冊成立。本著 “以客戶服務(wù)為中心”的經(jīng)營理念，為國內(nèi)核物理、高能物理、粒子物理等領(lǐng)域內(nèi)用戶提供實(shí)驗(yàn)和設(shè)備所需的高精尖產(chǎn)品。產(chǎn)品范圍涵蓋了：各類核探測器，無論是帶電粒子、X射線、γ射線探測，還是中子探測，我們都可以為您選擇一款屬于您的探測器；核電子學(xué)，無論是傳統(tǒng)的NIM插件，還是集成度較高的VME系統(tǒng)，亦或是目前被大多數(shù)用戶所認(rèn)可的高速數(shù)據(jù)采集卡（Digitizer），總有一套系統(tǒng)可以實(shí)現(xiàn)您的分析目標(biāo)；高/低壓電源，前置放大器低壓電源、探測器高壓直流電源、加速器大功率電源系統(tǒng)、脈沖電源等，保障您的系統(tǒng)安全穩(wěn)定運(yùn)行。 服務(wù)對象包括研究所、高校、環(huán)保、醫(yī)療、輻射檢測設(shè)備生產(chǎn)企業(yè)等眾多領(lǐng)域。 我們不但可以提供客戶的產(chǎn)品，還可以根據(jù)客戶需求給出解決方案。客戶的需求即是我們工作的目標(biāo)，客戶的滿意是我們不懈努力的方向！

電子背散射硅探測器

自1983年以來，MICRON已成為核物理、高能物理、空間物理、核醫(yī)學(xué)研究、OEM(原始設(shè)備制造商)市場的硅探測器的領(lǐng)先制造商。MICRON專門生產(chǎn)定制的AC和DC硅和金剛石探測器，被世界各地的用戶廣泛使用。

LL系列硅探測器設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)為環(huán)形象限、靶孔和帶薄入口窗的雙元素探測器，針對性的用于電子顯微鏡中1keV的低能電子探測。

電子背散射硅探測器主要性能指標(biāo)參數(shù)（以LL2-300為例）：

有效探測面積：6.858 mm(內(nèi)徑) x 24.13 mm(外徑)

靶孔直徑：5.6mm

硅片厚度：300μm

死層厚度：1μm、100nm、50nm可選

表面電容：40 pF /cm2

正向電壓(10mA)：< 0.8 V

噪聲(12V) rms：< 2.5mV(相對值)

表面金屬化：鋁3000 ?

歐姆面金屬化：金3000?

封裝方式：PCB封裝

連接器：飛線連接（其他連接器類型可選）

質(zhì)量保證：ISO9001

LL系列產(chǎn)品多種尺寸可選，可根據(jù)設(shè)計(jì)需求來電咨詢，選擇合適的探測器。


電子背散射硅探測器

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