IGBT測試 IGBT電子元器件失效分析實(shí)驗(yàn)室

西安長禾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司功率器件測試實(shí)驗(yàn)室(簡稱長禾實(shí)驗(yàn)室)位于西安市高新技術(shù)經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)，是一家專業(yè)從事功率半導(dǎo)體器件測試服務(wù)的高新技術(shù)企業(yè)，是國家CNAS 認(rèn)可實(shí)驗(yàn)室，屬于國家大功率器件測試服務(wù)中心。 長禾實(shí)驗(yàn)室擁有尖端的系統(tǒng)設(shè)備、專業(yè)的技術(shù)團(tuán)隊(duì)和完善的服務(wù)體系。實(shí)驗(yàn)室現(xiàn)有的測試儀器設(shè)備100余臺套，專業(yè)測試人員20余名。我們緊跟國內(nèi)標(biāo)準(zhǔn)，以客戶需求為導(dǎo)向，不斷創(chuàng)新服務(wù)項(xiàng)目和檢測技術(shù)，借助便利的服務(wù)網(wǎng)絡(luò)，為合作伙伴提供優(yōu)質(zhì)高效的技術(shù)服務(wù)。 長禾實(shí)驗(yàn)室專注于功率半導(dǎo)體器件的動、靜態(tài)參數(shù)檢測、可靠性檢測、失效分析、溫循試驗(yàn)、熱阻測試等領(lǐng)域的技術(shù)服務(wù)。業(yè)務(wù)范圍主要涉及國內(nèi)軌道交通、風(fēng)力發(fā)電、科研單位、軍工院所、工業(yè)控制、兵器船舶、航空航天、新能源汽車等行業(yè)。也是第三代半導(dǎo)體（寬禁帶半導(dǎo)體）應(yīng)用解決方案服務(wù)商。 長禾實(shí)驗(yàn)室秉承創(chuàng)新務(wù)實(shí)的經(jīng)營理念，為客戶提供優(yōu)質(zhì)的服務(wù)、完善的解決方案及全方位的技術(shù)支持；同時注重與行業(yè)企業(yè)、高校和科研院所的合作與交流，測試技術(shù)與服務(wù)水平不斷提升。 誠信立世，感恩回饋，歡迎選擇長禾實(shí)驗(yàn)室做您忠誠的合作伙伴，共謀發(fā)展大計(jì)！

長禾實(shí)驗(yàn)室檢測能力范圍
1	功率金屬氧化物場效應(yīng)管	1	漏源間反向擊穿電壓	半導(dǎo)體測試方法測試標(biāo)準(zhǔn) MIL-STD-750F:2012 3407.1	只測： -3.5kV～3.5kV
				半導(dǎo)體分立器件試驗(yàn)方法 GJB 128A-1997 3407	只測： -3.5kV～3.5kV
		2	通態(tài)電阻	半導(dǎo)體測試方法測試標(biāo)準(zhǔn) MIL-STD-750F:2012 3421.1	只測： 0～10k?,,0～1500A
		3	閾值電壓	半導(dǎo)體測試方法測試標(biāo)準(zhǔn) MIL-STD-750F:2012 3404	只測： -10V～10V
		4	漏反向電流	半導(dǎo)體測試方法測試標(biāo)準(zhǔn) MIL-STD-750F:2012 3415.1	只測： -100mA～100mA
		5	柵漏電流	半導(dǎo)體測試方法測試標(biāo)準(zhǔn) MIL-STD-750F:2012 3411.1	只測： -100mA～101mA
		6	體二管壓降	半導(dǎo)體測試方法測試標(biāo)準(zhǔn) MIL-STD-750F:2012 4011.4	只測： 0A～1500A
		7	跨導(dǎo)	半導(dǎo)體測試方法測試標(biāo)準(zhǔn) MIL-STD-750F:2012 3475.2	只測： 1ms～1000s
		8	開關(guān)時間	半導(dǎo)體測試方法測試標(biāo)準(zhǔn) MIL-STD-750F:2012 3472.2	只測： VD：5V～3.3kV， ID：100mA～1500A
		9		半導(dǎo)體分立器件試驗(yàn)方法 GJB 128A-1997 3472	只測： VD：5V～3.3kV， ID：100mA～1500A
		10	體二管反向恢復(fù)時間	半導(dǎo)體測試方法測試標(biāo)準(zhǔn) MIL-STD-750F:2012 3473.1	只測： 10ns～2μs
		11	體二管反向恢復(fù)電荷	半導(dǎo)體測試方法測試標(biāo)準(zhǔn) MIL-STD-750F:2012 3473.1	只測： 1nC～100μC
		12	柵電荷	半導(dǎo)體測試方法測試標(biāo)準(zhǔn) MIL-STD-750F:2012 3471.3	只測： Qg：0.5nC～500nC
		13	單脈沖雪崩能量	半導(dǎo)體測試方法測試標(biāo)準(zhǔn) MIL-STD-750F:2012 3470.2	只測： L：0.01mH～159.9mH， Ias：0.1A～1500A
		14	柵串聯(lián)等效電阻	功率MOSFET柵串聯(lián)等效電阻測試方法 JESD24-11:1996(R2002)	只測： 0.1Ω～50Ω
		15	穩(wěn)態(tài)熱阻	半導(dǎo)體測試方法測試標(biāo)準(zhǔn) MIL-STD-750F:2012 3161.1	只測： Ph：0.1W～250W
		16		半導(dǎo)體分立器件試驗(yàn)方法 GJB 128A-1997 3161	只測： Ph：0.1W～250W
		17	輸入電容	半導(dǎo)體器件 分立器件 第8部分：場效應(yīng)晶體管 IEC 60747-8:2010 6.3.10	只測： -3kV～3kV,0～1MHz
		18	輸出電容	半導(dǎo)體器件 分立器件 第8部分：場效應(yīng)晶體管 IEC 60747-8:2010 6.3.11	只測： -3kV～3kV,0～1MHz
		19	反向傳輸電容	半導(dǎo)體器件 分立器件 第8部分：場效應(yīng)晶體管 IEC 60747-8:2010 6.3.12	只測： -3kV～3kV,0～1MHz
		20	老煉試驗(yàn)	半導(dǎo)體分立器件試驗(yàn)方法 GJB 128A-1997 1042	只測： 條件A、條件B， Vdsmax：3500V， Tjmax：200℃
		21		溫度，反偏和操作壽命試驗(yàn) JESD22-A108F:2017	只測： HTRB和HTGB試驗(yàn)
		22	間歇功率試驗(yàn)	半導(dǎo)體分立器件試驗(yàn)方法 GJB 128A-1997 1042	只測： 條件D（間歇功率）
		23	穩(wěn)態(tài)功率試驗(yàn)	半導(dǎo)體分立器件試驗(yàn)方法 GJB 128A-1997 1042	只測： 條件C（穩(wěn)態(tài)功率）
2	二管	1	反向漏電流	半導(dǎo)體測試方法測試標(biāo)準(zhǔn) MIL-STD-750F:2012 4016.4	只測： 0～100mA
				半導(dǎo)體分立器件試驗(yàn)方法 GJB 128A-1997 4016	只測： 0～100mA
		2	反向擊穿電壓	半導(dǎo)體測試方法測試標(biāo)準(zhǔn) MIL-STD-750F:2012 4021.2	只測： 0～3.5kV
		3	正向壓降	半導(dǎo)體測試方法測試標(biāo)準(zhǔn) MIL-STD-750F:2012 4011.4	只測： IS：0A～6000A
				半導(dǎo)體分立器件試驗(yàn)方法 GJB 128A-1997 4011	只測： IS：0A～6000A
		4	浪涌電流	半導(dǎo)體分立器件試驗(yàn)方法 GJB 128A-1997 4066	只測： If：0A～9000A
		5	反向恢復(fù)電荷	半導(dǎo)體測試方法測試標(biāo)準(zhǔn) MIL-STD-750F:2012 3473.1	只測： 1nC～100μC
			反向恢復(fù)時間	半導(dǎo)體測試方法測試標(biāo)準(zhǔn) MIL-STD-750F:2012 3473.1	只測： 10ns～2us
		6	二管反壓變化率	半導(dǎo)體測試方法測試標(biāo)準(zhǔn) MIL-STD-750F:2012 3476	只測： VR：5V～3300V， IF：1A～1500A
		7	單脈沖雪崩能量	半導(dǎo)體測試方法測試標(biāo)準(zhǔn) MIL-STD-750F:2012 4064	只測： L：0.01mH～159.9mH， IAS：0.1A～1500A
			穩(wěn)態(tài)熱阻	半導(dǎo)體測試方法測試標(biāo)準(zhǔn) MIL-STD-750F:2012 3136	只測： Ph：0.1W～80W
		8	總電容電荷	半導(dǎo)體器件 分立器件和集成電路 第2部分:整流二管 IEC 60747-2:2016 6.1.8	只測： -3kV～3kV,0～1MHz
		9	結(jié)電容	半導(dǎo)體器件 分立器件和集成電路 第2部分:整流二管 IEC 60747-2:2016 6.1.8	只測： -3kV～3kV,0～1MHz
3	晶閘管	1	門觸發(fā)電流	半導(dǎo)體測試方法測試標(biāo)準(zhǔn) MIL-STD-750F:2012 4221.1	只測： 100nA～500mA
		2	門觸發(fā)電壓	半導(dǎo)體測試方法測試標(biāo)準(zhǔn) MIL-STD-750F:2012 4221.1	只測： 5mV～5V
		3	維持電流	半導(dǎo)體測試方法測試標(biāo)準(zhǔn) MIL-STD-750F:2012 4201.2	只測： 10μA～1.5A
		4	擎住電流	半導(dǎo)體測試方法測試標(biāo)準(zhǔn) MIL-STD-750F:2012 4201.2	只測： 10μA～1.5A
		5	浪涌電流	半導(dǎo)體測試方法測試標(biāo)準(zhǔn) JB/T 7626-2013	只測： ITSM：0A～9000A
		6	正向漏電流	半導(dǎo)體測試方法測試標(biāo)準(zhǔn) MIL-STD-750F:2012 4206.1	只測： 1nA～100mA
		7	反向漏電流	半導(dǎo)體測試方法測試標(biāo)準(zhǔn) MIL-STD-750F:2012 4211.1	只測： 1nA～100mA
		8	正向?qū)▔航?	半導(dǎo)體測試方法測試標(biāo)準(zhǔn) MIL-STD-750F:2012 4226.1	只測： IT：0～6000A
		9	穩(wěn)態(tài)熱阻	半導(dǎo)體測試方法測試標(biāo)準(zhǔn) MIL-STD-750F:2012 3181	只測： Ph：0.1W～250W
4	晶體管	1	直流增益	半導(dǎo)體測試方法測試標(biāo)準(zhǔn) MIL-STD-750F:2012 3076.1	只測： 1～50000
		2	集射飽和壓降	半導(dǎo)體測試方法測試標(biāo)準(zhǔn) MIL-STD-750F:2012 3071	只測： 0～1250A
		3	集射電關(guān)態(tài)電流	半導(dǎo)體測試方法測試標(biāo)準(zhǔn) MIL-STD-750F:2012 3041.1	只測： 0～100mA
		4	集基電關(guān)態(tài)電流	半導(dǎo)體測試方法測試標(biāo)準(zhǔn) MIL-STD-750F:2012 3036.1	只測： 0～100mA
		5	射基關(guān)態(tài)電流	半導(dǎo)體測試方法測試標(biāo)準(zhǔn) MIL-STD-750F:2012 3061.1	只測： 0～100mA
		6	集射反向擊穿電壓	半導(dǎo)體測試方法測試標(biāo)準(zhǔn) MIL-STD-750F:2012 3011.2	只測： -3.5kV～3.5kV
				半導(dǎo)體分立器件試驗(yàn)方法 GJB 128A-1997 3011	只測： -3.5kV～3.5kV
		7	集基反向擊穿電壓	半導(dǎo)體測試方法測試標(biāo)準(zhǔn) MIL-STD-750F:2012 3001.1	只測： -3.5kV～3.5kV
		8	射基反向擊穿電壓	半導(dǎo)體測試方法測試標(biāo)準(zhǔn) MIL-STD-750F:2012 3026.1	只測： -3.5kV～3.5kV
		9	基射電壓	半導(dǎo)體測試方法測試標(biāo)準(zhǔn) MIL-STD-750F:2012 3066.1	只測： 0V～1250A
		10	穩(wěn)態(tài)熱阻	半導(dǎo)體測試方法測試標(biāo)準(zhǔn) MIL-STD-750F:2012 3131.6	只測： Ph：0.1W～250W
5	絕緣柵雙型晶體管	1	集射間反向擊穿電壓	半導(dǎo)體測試方法測試標(biāo)準(zhǔn) MIL-STD-750F:2012 3407.1	只測： -3.5kV～3.5kV
				半導(dǎo)體分立器件試驗(yàn)方法 GJB 128A-1997 3407	只測： -3.5kV～3.5kV
		2	通態(tài)電壓	半導(dǎo)體測試方法測試標(biāo)準(zhǔn) MIL-STD-750F:2012 3405.1	只測： 0～1500A
		3	通態(tài)電阻	半導(dǎo)體測試方法測試標(biāo)準(zhǔn) MIL-STD-750F:2012 3421.1	只測： 0～10k?
		4	集電反向漏電流	半導(dǎo)體測試方法測試標(biāo)準(zhǔn) MIL-STD-750F:2012 3415.1	只測： 0～100mA
		5	柵漏電流	半導(dǎo)體測試方法測試標(biāo)準(zhǔn) MIL-STD-750F:2012 3411.1	只測： 0～100mA
		6	跨導(dǎo)	半導(dǎo)體測試方法測試標(biāo)準(zhǔn) MIL-STD-750F:2012 3475.2	只測： 1ms～1000s
		7	開關(guān)時間&損耗	半導(dǎo)體測試方法測試標(biāo)準(zhǔn) MIL-STD-750F:2012 3477.1	只測： VD：5V～3.3kV， ID：0.5A～1500A
				半導(dǎo)體器件 分立器件 第9部分：絕緣柵雙晶體管 IEC 60747-9:2007 6.3.11,6.3.12	只測： 5V～3.3kV
		8	短路耐受時間	半導(dǎo)體測試方法測試標(biāo)準(zhǔn) MIL-STD-750F:2012 3479	只測： ISC：10A～5000A ， TSC：1us～50us
				半導(dǎo)體器件 分立器件 第9部分：絕緣柵雙晶體管 IEC 60747-9:2007 6.2.6	只測： 5V～3.3kV
		9	柵電荷	半導(dǎo)體測試方法測試標(biāo)準(zhǔn) MIL-STD-750F:2012 3471.3	只測： Qg：0.5nC～100uC
				半導(dǎo)體器件 分立器件 第9部分：絕緣柵雙晶體管 IEC 60747-9:2007 6.3.9	只測： 5V～3.3kV
		10	二管反向恢復(fù)時間	半導(dǎo)體器件 分立器件 第2部分：整流二管 IEC 60747-2:2016 6.1.6	只測： 5V～3.3kV
		11	單脈沖雪崩能量	半導(dǎo)體測試方法測試標(biāo)準(zhǔn) MIL-STD-750F:2012 3470.2	只測： L：0.01mH～159.9mH， Ias：0.1A～1500A
		12	柵串聯(lián)等效電阻	功率MOSFET柵串聯(lián)等效電阻測試方法 JESD24-11:1996(R2002)	只測： 0.1Ω～50Ω
		13	穩(wěn)態(tài)熱阻	半導(dǎo)體測試方法測試標(biāo)準(zhǔn) MIL-STD-750F:2012 3103	只測： Ph：0.1W～250W
		16	輸入電容	半導(dǎo)體器件 分立器件 第9部分：絕緣柵雙晶體管 IEC 60747-9:2007 6.3.6	只測： -3kV～3kV,0～1MHz
		17	輸出電容	半導(dǎo)體器件 分立器件 第9部分：絕緣柵雙晶體管 IEC 60747-9:2007 6.3.7	只測： -3kV～3kV,0～1MHz
		18	反向傳輸電容	半導(dǎo)體器件 分立器件 第9部分：絕緣柵雙晶體管 IEC 60747-9:2007 6.3.8	只測： -3kV～3kV,0～1MHz
		19	反偏安全工作區(qū)	半導(dǎo)體器件 分立器件 第9部分：絕緣柵雙晶體管 IEC 60747-9:2007 6.2.5	只測： 5V～3.3kV
6	通用電子產(chǎn)品	1	高低溫循環(huán)試驗(yàn)	半導(dǎo)體分立器件試驗(yàn)方法 GJB 128A-1997 1051	只測： 溫度： -80℃～150℃， 容積： 40cm×37.5cm×40cm
				溫度循環(huán) JESD22-A104E:2014	只測： 溫度： -80℃～150℃， 容積： 40cm×37.5cm×40cm
		2	高溫試驗(yàn)	微電子器件試驗(yàn)方法和程序 GJB 548B-2005 1008.1	只測溫度：200℃， 容積： 61cm×90cm×60cm
				半導(dǎo)體分立器件試驗(yàn)方法 GJB 128A-1997 1031, 1032	只測溫度：200℃， 容積： 61cm×90cm×60cm
				電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分：試驗(yàn)方法 試驗(yàn)B：高溫 GB/T 2423.2-2008	只測溫度：200℃， 容積： 61cm×90cm×60cm
		3	低溫試驗(yàn)	電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分：試驗(yàn)方法 試驗(yàn)A：低溫 GB/T 2423.1-2008	只測溫度：-70℃， 容積： 40cm×37.5cm×40cm
		4	高溫存儲壽命試驗(yàn)	高溫存儲壽命試驗(yàn) JESD22-A103E:2015	只測溫度：180℃， 容積： 58cm×76cm×75cm
		5	低溫存儲壽命試驗(yàn)	低溫存儲壽命試驗(yàn) JESD22-A119A:2015	只測溫度：-70℃， 容積： 40cm×37.5cm×40cm

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