SIC涂層MOCVD外延片石墨托盤是? LED芯片產業(yè)MOCVD外延片承載石墨托盤? ICP蝕刻制程用之承載盤? 硅外延及GaN外延等各Ⅲ-V主族、Ⅱ-Ⅵ副族化合物半導體半導體材料外延托盤的配件和耗材。

合能陽光是一家硅材料檢驗儀器及服務提供商，提供全面的硅料、單晶硅片、多晶硅片等成套檢驗設備及最優(yōu)解決方案。同時，拉單晶生產所需的輔料也是我公司主營范圍之一。

北京合能陽光新能源技術有限公司是一家集科、工、貿為一體的光伏高科技公司。
近年來，隨著太陽能行業(yè)的飛速發(fā)展，導致硅材料極度緊張，硅材料價格也不斷上漲，使得客戶在選用制造過程用的相關輔料耗材時，極為慎重，對于太陽能耗材的要求越來越高。合能陽光新能源技術有限公司在太陽能耗材、儀表、設備方面積累了多年的經驗，為客戶提供了高品質的產品和優(yōu)質的服務。

每一張定單的背后都包含著合能陽光人做事的原則：
------及時發(fā)貨
------優(yōu)質包裝
------專業(yè)服務

我們所提供的不僅是產品，還將為您提供技術支持，我們在這個行業(yè)中的技術積累，使我們能夠為用戶解決問題，這也是我們引以為驕傲的角色。
 

SIC涂層MOCVD外延片石墨托盤

我公司擁有多名日本專家、博士工程師及先進經營管理團隊，擁有專業(yè)從事碳化硅涂層以及對石墨產品進行高溫純化除雜技術。公司產品及技術廣泛應用于半導體行業(yè)，LED行業(yè)，航天行業(yè)，化工行業(yè)，光伏行業(yè)，包裝行業(yè)，耐腐蝕行業(yè)、冶金行業(yè)等領域。

公司通過引進國外最先進的CVD法碳化硅涂層及高溫純化裝置與技術，根據客戶需要為不同形狀，不同結構和大小的石墨件純化除雜，純化后的石墨雜質可降至小于5PPM,并采用高溫化學氣相沉積法沉積厚度的碳化硅涂層。

相比以往的工藝，CVD法生產的碳化硅晶體結構致密，晶格排列整齊，與沉底材料結合更緊密等優(yōu)勢。具有耐高溫，耐磨損，耐腐蝕，易導熱的特點，憑借這些涂層，我們的產品被廣泛應用于制作流化床和熱氫化的反應器部件，CZ直拉單晶爐的導流筒部件，以及硅外延和GaN外延的托盤。

產品指標：

ü  材料：進口等靜壓高純石墨

ü  純度：小于5ppm

ü SIC涂層厚度：120μm±30μm(涂層厚度可根據客戶要求定制)

ü  涂層表面粗糙度：6-8μm

ü  涂層后基座電阻率：0.0004-0.00045Microhm-m

ü  高均勻度和優(yōu)異的熱傳導性

ü  耐電漿轟擊

ü  極佳均溫性

ü  高耐腐蝕性和穩(wěn)定性

ü  理想的電阻特性

ü  使用壽命長

應用領域：

ü LED芯片產業(yè)MOCVD外延片承載石墨托盤

ü ICP蝕刻制程用之承載盤

ü  硅外延及GaN外延等各Ⅲ-V主族、Ⅱ-Ⅵ副族半導體半導體材料外延托盤

合能陽光

ü  提供各種規(guī)格碳化硅涂層石墨制品：承載盤，預熱環(huán)，篩盤，頂針等相關制品

ü  可接受根據圖紙定制加工業(yè)務

ü  質量穩(wěn)定，交貨期短

主要客戶：

國內半導體芯片企業(yè)、LED光電企業(yè)等

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