DR技術(shù)的進(jìn)步一直都是與平板探測(cè)器技術(shù)的發(fā)展緊密相連的。平板探測(cè)器是D?R的核心部件之一，它可以X線能量轉(zhuǎn)換成電信號(hào)，對(duì)成像質(zhì)量起著決定性的作用。

北京市普標(biāo)特科技有限公司其前身為北京市標(biāo)特電子技術(shù)研究所，創(chuàng)建于1993年，是集醫(yī)療器械研發(fā)、生產(chǎn)、銷售和售后服務(wù)為一體的國(guó)家高新技術(shù)企業(yè)，中關(guān)村高新技術(shù)企業(yè)。企業(yè)擁有現(xiàn)代化的生產(chǎn)車間生產(chǎn)設(shè)備，薈萃了國(guó)內(nèi)外尖端的技術(shù)制造工藝。工程師們長(zhǎng)期奮戰(zhàn)在科研生產(chǎn)線，具有卓越的創(chuàng)新能力和豐富的實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)。企業(yè)具有覆蓋全國(guó)的、完善的銷售和售后服務(wù)體系，擁有穩(wěn)定的客戶群。企業(yè)同仁以增進(jìn)廣大婦女的健康為己任，開拓創(chuàng)新、銳意進(jìn)取。隨著我國(guó)醫(yī)療體制改革的進(jìn)一步深化，企業(yè)致力于繼續(xù)拓展醫(yī)療器械市場(chǎng)和服務(wù)客戶，現(xiàn)誠(chéng)邀有識(shí)之士共創(chuàng)未來！

  DR技術(shù)的進(jìn)步一直都是與平板探測(cè)器技術(shù)的發(fā)展緊密相連的。平板探測(cè)器是DR的核心部件之一，它可以X線能量轉(zhuǎn)換成電信siyuekvpw號(hào)，對(duì)成像質(zhì)量起著決定性的作用。
  平板技術(shù)發(fā)展主要體現(xiàn)在：動(dòng)態(tài)反應(yīng)時(shí)間和尺寸的大小、像素間距、MTF、DQE等方面。根據(jù)探測(cè)器的工作原理和組成材料的不同，DR探測(cè)器的分類主要有三種：CCD、一線掃描和非晶體平板。
  DR探測(cè)器的分類如下：
  CCD：
  因?yàn)榇嬖谥欢ǖ膆t tp:/ /w ww.pl999.co m/c lass.p hp?anc lss=1&nc lass=4物理局限性，普遍認(rèn)為CCD并不能夠勝任大面積平板的采像工作，而且CCD設(shè)備在所采集的圖像的質(zhì)量上與非晶硅/硒平板設(shè)備差上一段距離。不過因?yàn)镃CD的價(jià)格，在范圍內(nèi)仍然有廠家在使用著這種技術(shù)。
  一線掃描：
  一線掃描也被稱作一維線掃描技術(shù)，這項(xiàng)技術(shù)是由俄羅斯科學(xué)院核物理研究所發(fā)明出來的，目前我國(guó)生產(chǎn)該DR探測(cè)器的非常少。這項(xiàng)產(chǎn)品雖然設(shè)備造價(jià)和受照劑量方面都比平板技術(shù)要低很多，但是這項(xiàng)技術(shù)有著一些先天性的不足：X射線使用效率低、空間分辨率低、成像時(shí)間長(zhǎng)、成像質(zhì)量差以及醫(yī)生和病體會(huì)收到大量輻射。
  非晶平板：
  非晶平板由不同的材料也可以分為兩種類別：a-Se非晶硒層和a-Si非晶硅層
  a-Se(非晶硒平板探測(cè)器)：這是一種直接探測(cè)的技術(shù)，在硒涂料層直接探測(cè)到X光子然后將其電信號(hào)轉(zhuǎn)化成數(shù)字信號(hào)。目前這種技術(shù)應(yīng)用范圍較少，屬于非主流X光平板探測(cè)器。
  a-Si(非晶硅平板探測(cè)器)：這是一種兩步數(shù)字轉(zhuǎn)換的技術(shù)，X光子先變成可見光，然后利用光電探測(cè)技術(shù)探測(cè)到，再將其轉(zhuǎn)化為數(shù)字信號(hào)。因涂層的技術(shù)不同，又可以分為非晶硅+氧化釓平板探測(cè)器和非晶硅+碘化銫平板探測(cè)器。目前這種技術(shù)廣泛應(yīng)用于各大知名廠商中，應(yīng)用范圍非常廣。
  以上就是DR探測(cè)器的分類。CCD由于物理方面的限制，生產(chǎn)工藝和門檻也比較低，已經(jīng)開始逐漸被淘汰了；一線掃描也由于自身的缺憾很難作為主流產(chǎn)品；非晶體平板具有的都不是前兩者可以比的，所以目前較為成熟的DR探測(cè)器就是X光平板探測(cè)器。
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