器由倒置式改為正置式，更符合人們的操作習(xí)慣；
應(yīng)用CMOS代替CCD，省去圖象卡并提高了質(zhì)量；
用低壓電源代替高壓電源，節(jié)省了儀器成本；
用國(guó)產(chǎn)的代替德國(guó)進(jìn)口壓電陶瓷，解決了關(guān)鍵部件的進(jìn)口難題；
增加了自動(dòng)步距和亮度校正程序，同時(shí)增加了局部放大三維立體圖功能；

 表面微觀不平深度測(cè)量范圍：130?1nm
 測(cè)量的重復(fù)性：sRa≤0.5nm
 測(cè)量精度：8nm
 物鏡倍率：40X
 數(shù)值孔徑：0.65
 儀器視場(chǎng)  目視：f0.25mm
                    攝象：0.13X0.13mm
儀器放大倍數(shù)  目視：500X
                            攝象（計(jì)算機(jī)屏幕觀察）：2500X
  接收器測(cè)量列陣：1000X1000
  象素尺寸：5.2X5.2nm